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递送(c)发光强度与温度关系图。药上医保(b)还原后NaZn(PO3)3:0.12Mn2+样品的变温PL谱(λex=360nm)。该工作不仅简化了低价态发光离子的制备工艺,体化更重要的是能够保证发光材料在高温下激活离子不被氧化,体化仍然具有与室温时相同的优异性能,而且由于自还原中引入的大量深能级缺陷使得发光材料具有良好的抗热猝灭性能,为解决因芯片温度上升导致发光材料性能劣化这一难题提供了一个全新的思路。
(f)NaZn(PO3)3:0.12Mn2+样品不同加热速度下的热释光谱,网络插入图是Hoogenstraaten图,拟合获得陷阱能量为1.751eV。(d)发射谱的分峰拟合谱图,诊济南局推结算结果显示是两个发射中心
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